DISC-IBE-150C/200C型： 負角度刻蝕降低反污染，熱态、冷态兩種中和系統，腔體前後開門

應用方向：科研與教學

産品優勢：負角度刻蝕降低反污染，熱态、冷态兩種中和系統，刻蝕腔體前後開門

産品配置：

★離子源種類：考夫曼離子源

★離子源口徑：Φ160mm/220mm

★中和方式：燈絲、冷态等離子體橋

★樣片數量及尺寸：1片Φ100mm/150mm樣品

★刻蝕材料：包括并不限于矽、石英、Ⅲ-Ⅴ族化合物、合金、陶瓷等。

★刻蝕腔體：高真空系統

★刻蝕不均勻性：±3%-±6%

★刻蝕速率：10-500nm/min（視具體材料與工藝）

★工作台：可旋轉，可自傳，可調距離，包含水冷

★工藝氣路：1-2路

★束流檢測：法拉第筒在線檢測

★終點檢測控制：可選配質譜儀

★操作模式：全自動+半自動控制

選型參考：DISC-IBE-150C（離子源口徑160mm）；DISC-IBE-200C（離子源口徑220mm）

設備詳細結構與功能，請咨詢銷售工程師。