化學氣相沉積設備主要由反應室、供氣系統和加熱系統組成。反應室是CVD中基本的部分，常采用石英管制成，其壁可分爲熱态和冷态。 

      在室溫下，進行化學氣相沉積的原料不一定都是氣體，如果源物質有液态原料，需加熱形成蒸汽或氣态反應劑反應，形成氣态物質導入沉積區，由載流氣體攜帶入爐;如果源物質有固體原料，一般是通過一定的氣體與之發生氣—固或氣—液反應，形成适當的氣态組分，将産生的氣态組分輸送入反應室，在這些反應物載入沉積區之前，一般不希望它們之間相互反應，因此，在低溫下會相互反應的物質在進入沉積區之前應隔開。 

      前兩種類型是反應器壁和原料都不加熱，即所謂的冷壁反應器，一般地，這類反應器的反應物在室溫下是氣體或者具有較高蒸汽壓的物質;後兩種類型的原料區和反應器壁是加熱的，即所謂的熱壁反應器，反應器的加熱是爲了防止反應物的冷凝。